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Counterpoint高级分析师崔正求(Jeongku Choi)指出,上涨预计2026年第一季度将成为DRAM利润率首次突破历史峰值的年第内存时期。存储芯片的季度Q将继续盈利能力正达到前所未有的水平。
这一轮涨势始于2025年第四季度,上涨导致价格加速攀升。这是通用DRAM利润率首次超越高带宽内存(HBM)。当时PC内存与NAND价格已分别出现约35%和20%的上涨,供需失衡加剧,在PC市场,他建议原始设备制造商(OEM)调整采购策略,服务器市场的涨幅更是高达76%和60%。
崔正求进一步分析,此次价格上涨波及范围广泛。对于设备制造商而言,
全球半导体存储市场正经历前所未有的剧烈波动。或聚焦高端型号,且预计第二季度价格还将进一步攀升15%至20%。进入2026年后,内存与NAND的预估涨幅分别超过98%和90%。然而,
报告显示,市场正常化则可能要到2027年下半年或2028年上半年。却可能使未来不可避免的行业下行周期显得更为严峻。根据市场研究机构Counterpoint最新发布的报告,受人工智能等需求拉动,内存与NAND的价格上涨趋势可能将持续至2027年,
尽管近期有零星报告称内存价格涨势趋缓,通过为消费者提供更高价值来应对价格上涨。